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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場(chǎng)

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 擴展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù),為一系列的低功耗應用,包括智能手機、平板電腦、攝像機、數碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò )通訊設備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
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IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列

  •   全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝,具有超低導通電阻 (RDS(on)) ,適用于電池充電及放電開(kāi)關(guān)、系統和負載開(kāi)關(guān)、輕載電機驅動(dòng),以及電信設備等應用。   新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù),通過(guò)大幅降低90% RDS(on)顯著(zhù)改善了電流處理能力,為客戶(hù)的特定應用優(yōu)化了性能及價(jià)格。   IR
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IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。   新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現基準性能,適用于網(wǎng)絡(luò )和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機驅動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶(hù)的特定應用提供
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IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。   新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現基準性能,適用于網(wǎng)絡(luò )和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機驅動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶(hù)的特定應用提供
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。   這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為1.2m?,顯著(zhù)降低了手工工具等直流電機驅動(dòng)應用的傳導損耗。
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IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
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